半導體芯片溫度沖擊箱

更新日期：2026-01-16

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簡要描述：半導體芯片溫度沖擊箱區分為高溫區、低溫區、測試區三部分，各區之箱體釆用斷熱結構。沖擊方式應用風路切換方式將溫度導入測試區，做冷熱沖擊測試。采用彩色中英文LCD觸控式圖控操作介面，操作簡易.

詳細說明：

半導體芯片溫度沖擊箱區分為高溫區、低溫區、測試區三部分，各區之箱體釆用斷熱結構。沖擊方式應用風路切換方式將溫度導入測試區，做冷熱沖擊測試。采用彩色中英文LCD觸控式圖控操作介面，操作簡易.

溫度沖擊箱的特點:

1、采用彩色中英文LCD觸控式圖控操作介面，操作簡易.

2、設備區分為高溫區、低溫區、測試區三部分，各區之箱體釆用斷熱結構。

3、沖擊方式應用風路切換方式將溫度導入測試區，做冷熱沖擊測試。

4、高溫沖擊或低溫沖擊時，大時間可達9999分鐘，大循環周期可達9999次。

5、系統可作自動循環沖擊或手動選擇性沖擊并可設定二區或三區沖擊及冷沖熱沖啟始。

6、冷卻采二元冷凍系統，降溫效果快速，冷卻方式為風冷式或水冷式兩種。

7、可連接電腦，記錄儀僅為選購件。

溫度沖擊箱的型號參數：

型號	TS-49（A～C）	TS-80（A～C）	TS-150（A～C）	TS-252（A～C）	TS-450（A～C）
內部尺寸W×H×D(cm)	40×35×30	50×40×40	60×50×50	70×60×60	80×75×75
外部尺寸W×H×D(cm)	140×180×145	148×190×155	160×200×175	175×210×187	190×220×200
溫度范圍（測試區）	(150℃～A：-45℃；B：-55℃；C：-65℃)；(高溫區：+60℃～+150℃；低溫區-10℃～-65℃)
升溫時間(蓄熱區)	RT～200℃約需35min
降溫時間(蓄冷區)	RT～-70℃約需85min
溫度回復時間/轉換時間	≤5min內 / ≤l0秒內
溫度控制精度/分布精度	±0.5℃/±2.0℃
保溫材質	耐高溫高密度氯基甲酸乙醋泡沫絕緣體材料
系統	P．I．D + S．S．R + 微電腦平衡調溫控制系統
冷卻系統	半密閉式雙段壓縮機(水冷式)/全密閉式雙段壓縮機(風冷式)
安全保護裝置	無熔絲開關、壓縮機高低壓保護開關，冷媒高壓保護開關、故障警告系統，電子警報器
配件	觀視窗(特殊選購型)、上下可調隔層兩片、通電測試孔、腳輪、水平支架
電源	AC380V 50Hz/60Hz 3 ∮
重量(大約	700Kg	900Kg	l200Kg	1400Kg	1900Kg